三星HBM4逆袭成功：祭出顶级1c工艺 性能暴涨37% !

9月21日消息，在HBM内存市场上，原来的内存一哥三星大大落后于SK海力士和美光，是第三家实现量产的，但在HBM4上三星志在必得。

日前有消息称三星的HBM3e在量产18个月后终于获得了NVIDIA的认证，再加上之前获得了AMD的认证，现在也算是拿到了供货的凭证。

不过考虑到SK海力士已经在HBM3e上占据先发优势，三星恐怕很难抢到多少市场，他们的目标实际上放在了最新的HBM4内存上。

前不久SK海力士宣布全球首发量产HBM4，但他们使用的还是第五代10nm级工艺1b，三星直接把最先进工艺用于HBM4了，在平泽的P5工厂直接上马了第六代10nm级DRAM工艺——1c工艺。

凭借1c工艺以及4nm逻辑工艺上的积累，三星将HBM4的频率做到了11Gbps，这意味着它比标准版HBM4的8Gbps性能提升了37.5%。

NVIDIA为了对抗AMD明年的MI450系列AI显卡，正在要求供应商将HBM4的频率提升到10Gbps，三星率先做到11Gbps，显然有助于他们获得NVIDIA的订单。

现在三星算是在技术上先逆袭了，不过最终能不能拿下NVIDIA及AMD的订单，还得看后续，包括产能及定价。