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2月3日消息,TrendForce集邦咨询发布最新存储器产业研报显示,受AI与数据中心需求持续激增推动,全球存储器市场供需失衡加剧,2026年第一季度(Q1)DRAM、NAND Flash各类产品价格全面大幅上涨,多个细分品类季增幅度创下历史新高,且不排除后续进一步上修的可能。
研报指出,此次价格上涨的核心驱动力来自需求端的爆发式增长。

随着AI推理应用场景持续扩大,北美、中国各大云端服务业者(CSP)、服务器厂商(Server OEM)对高性能存储器的备货需求强烈,而PC整机2025年第四季度出货量超预期,进一步加剧了PC DRAM的缺货态势,头部PC OEM厂商库存水平持续下滑。
供给端方面,存储器原厂更看好DRAM市场的获利前景,将部分产线转向DRAM生产,导致NAND Flash新增产能被压缩,仅能通过制程升级勉强提升单位产出,短期产能瓶颈难以缓解,原厂议价能力显著增强,市场呈现明显的卖方市场特征。

具体价格涨幅方面,DRAM类产品成为上涨主力。
整体Conventional DRAM合约价季增幅度从1月初预估的55%-60%上调至90%-95%;
PC DRAM(DDR4&DDR5混合)价格预计季增105%-110%,涨幅超一倍,创下历史新高;
Server DRAM价格季增88%-93%,Mobile DRAM中LPDDR4X、LPDDR5X合约价季增均达88%-93%,均为历年最高水平;
高带宽存储器(HBM)混合合约价也实现80%-85%的季度增长。
NAND Flash类产品同样涨幅显著,整体合约价季增幅度从33%-38%上调至55%-60%。

值得注意的是,手机厂商的存储器采购谈判进度存在差异。
美系手机客户2026年Q1的Mobile DRAM合约价已于2025年底完成议定,而中系手机客户受2025年第四季度合约价刚敲定及农历春节长假影响,相关谈判预计最快需至2月底才会取得实质进展。
此次存储器价格的大幅上涨,将对终端电子设备生产成本、供应链备货策略产生显著影响。

